化合物半导体成为集成电路产业新关注点

OFweek电子工程网讯 化合物半导体是区别于硅（Si）和锗（Ge）等传统单质的一类半导体材料，主要包括砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）等。相对于硅材料，化合物半导体性能更加优异，制作出的器件相对于硅器件具有更优异的光电性能、高速、高频、大功率、耐高温和高辐射等特征。

当前，全球半导体产业正处于深度变革，化合物半导体成为产业发展新的关注点，我国应加紧产业布局，抢占发展的主动权。

集成电路产业深刻变革驱动化合物半导体市场发展。一是集成电路产业遵循“摩尔定律”演进趋缓，以新材料、新结构以及新工艺为特征的“超越摩尔定律”成为产业新的发展重心。二是曾经驱动集成电路市场高速增长的PC和智能手机市场疲软，未来5G和物联网将成为新风口。三是全球能源和环境危机突出，能源利用趋向低功耗和精细管理。化合物半导体作为新材料和新器件，在微波通信器件、光电子器件和功率器件中有着同类硅器件所不具备的优异性能，将在以上应用领域得到广泛应用。

国内外围绕化合物半导体的并购案频发。近年来，国际巨头企业纷纷围绕化合物半导体展开并购，2014年8月，功率半导体领导者德国英飞凌公司以30亿美元收购美国国际整流器公司（IR），取得了其硅基GaN功率半导体制造技术;同年9月，设计和制造GaAs和GaN射频芯片的RFMD公司和TriQuint公司宣布合并为新的RF解决方案公司Qorvo。国内企业和资本也围绕化合物半导体产业展开收购。

国家“大基金”投资三安光电布局化合物半导体。2015年6月，国家集成电路产业投资基金（“大基金”）投资48.39亿元入股三安光电，推动三安光电下属三安集成电路公司围绕GaAs和GaN代工制造，开展境内外并购、新技术研发、新建生产线等业务。同时，国家开发银行也以最优惠利率向三安提供200亿元贷款。

2016年2月，泉州市政府、“大基金”、华芯投资、三安集团等在晋江市合资成立安芯基金，基金目标规模500亿元，首期出资规模75.1亿元，将主要投向III-V族化合物集成电路产业。