Everspin采样1Gigabit ST-MRAM以提高存储性能

1Gigabit自旋扭矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）是具有DDR4兼容接口的高耐久性持久存储器，可使存储系统厂商能够通过在不使用超级电容器或电池的情况下，提供防止电源丢失的保护来提高存储设备和系统的可靠性和性能。

企业SSD设计人员可以利用固有的电源故障安全性的快速永久性存储器，同时还减少了写入放大和过度配置，这些对于NAND Flash的SSD来说都是常见的限制。

1GMRAM在GloFo的垂直磁隧道结（pMTJ）技术上用300mm晶圆制成28nm CMOS。

1Gb部分的快速发展是pMTJ在不到一年的时间从40nm移动到28nm工艺的高度可扩展性的直接结果。