三星11nmFinFET工艺将于明年上半年实现量产

2017-09-11 17:14:19 PCBA加工厂家 214

三星电子宣布,在其晶圆代工产品组合中将增加11nm的FinFET工艺。11nm LPP或者11LPP是从上一代14nm工艺进一步发展而来,它能提供15%的性能提升,减少10%面积,但功耗却保持不变。

三星

三星表示,已经完成了“未来三年跨越14nm至11nm,10nm,8nm和7nm的综合处理路线图”。其中11nm工艺计划于2018年上半年准备投产。

三星还证实,采用EUV(极紫外)光刻技术的7LPP的开发工作正在按期进行,目标是在2018年下半年初期生产。

自2014年以来,三星已经使用EUV光刻技术处理了近20万张晶圆,并且根据其经验,最近在过程开发中看到了明显的成果,例如256Mb SRAM实现了80%的产量



标签:   三星 晶圆代工