NAND闪存将占据2017年的资本支出的一半

2017-09-01 16:48:57 PCBA加工厂家 123

IC Insights表示,2017年预计超过809亿美元资本支出将用于代工厂(28%)和NAND闪存升级(24%)。

2017年预计增长53%,DRAM价格自2016年第三季度开始上涨,DRAM / SRAM业务板块预计今年主要产品类型的资本支出增幅最大。

NAND闪存

随着DRAM价格自2016年第三季度开始上涨,DRAM厂商再次加大了对这一领域的支出。

尽管大部分支出正在向技术进步发展,但DRAM生产商SK Hynix最近承认,仅凭技术进步就无法跟上需求,而是需要开始增加晶圆启动能力。

即使今年的DRAM消费激增,2017年闪存的资本支出(190亿美元)仍将远远高于分配给DRAM / SRAM类别(130亿美元)的支出。

总体而言,IC Insights认为,2017年的闪存基本上都将用于3D NAND处理技术,包括在韩国平泽的三星巨型新晶圆厂生产3D NAND。

闪存部分的资本支出预计在2017年将录得33%的激增,但在2016年强劲增长23%之后,记忆市场的历史先例表明,太多的支出通常会导致产能过剩和随后的定价弱点。

随着三星,SK海力士,美光,英特尔,东芝/西部数据/ SanDisk和XMC /长江存储技术都计划在未来几年内大幅提升3D NAND闪存容量(新中国生产商可能进入市场) IC Insights认为,面对3D NAND闪存市场需求的未来风险很高,而且日益增长。



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