2017年DRAM和NAND价格猛涨,创历史新高

2017-07-19 16:45:38 PCBA加工厂家 321

DRAM和NAND价格在2016年第一季度首次开始上涨,并在2017年上半年持续上涨。

经ICinsights预测,DRAM和NAND存储器的销量预计今年将创历史新高,究其原因是因为产品平均售价(ASP)的快速增长。具体来看,2017年DRAM的实际出货量预计会有所下滑,而NAND出货量仅增长2%,但足够推动闪存市场的增长势头。图中显示了DRAM、NAND的季度ASP增长率:从2016年第三季度开始到2017年第二季度,DRAM的平均售价(ASP)上涨了16.8%,NAND上涨了11.6%,保持了持续增长态势。

NAND价格涨势

IC Insights认为,2017年基本上所有的闪存支出将用于3D NAND闪存处理技术,而不是平面闪存。预计今年NAND闪存资本支出将得到大幅增长,预计三星将在韩国平泽的大型新晶圆厂推动3D NAND生产。

纵观历史态势,大量资金投入通常会导致产能过剩和定价疲软的情况出现。因此,三星、SKHynix、Micron、英特尔、东芝/闪迪和长江存储,都计划在未来几年内大幅度提升3DNAND闪存容量,这一轮将有中国的厂家加入进来。那么在未来几年内,产能过剩的现象极有可能再发生。

ICInsights数据显示,DRAM季度平均售价在2016年第四季度上升到22.8%(最高),一直到2017年第二季度仍呈现强劲上涨趋势。据ICInsights预测,DRAMASP预计在2017年第三季度达到最高,在2017年第三季度开始小幅度下滑,标志着一个良性周期就此告一段落。


经预测,尽管今年下半年DRAMASP的增长速度将会放缓,但DRAMASP的年增长率仍将有63%,这比1997年的历史最高年增长率仍高出6个百分点,创下又一个历史新高。而2017年,NAND的年度ASP预计将增长33%,创历史新高。(2000年,以NORFlash的ASP上涨了52%。)



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