一分钟快速了解场效应晶体管(FET)的分类

2017-07-11 14:07:27 PCBA加工厂家 250

场效应晶体管主要用于在电子(在n沟道FET中)或空穴(p沟道FET)进行导通。场效应晶体管的四个端子称为源极,栅极,漏极和主体(衬底)。在大多数场效应晶体管中,主体连接到封装内的源,主要应用于PCBA板中的大规模集成电路中。

场效应晶体管

 

FET分为两类:结FET(JFET)和绝缘栅FET(IGFET)。

1、绝缘栅FET(IGFET)

绝缘栅FET(IGFET)通常被称为金属氧化物半导体FET(MOSFET),从金属层(栅极)、氧化物(绝缘体)和半导体层反映其原始结构。金属半导体FET(MESFET)是其中反向偏置p-n结被金属半导体结替代的JFET。这些以及其中具有非常高载流子迁移率的二维电子气体用于电荷传输的HEMT(高电子迁移率晶体管或HFET)特别适用于在非常高的频率中。

2、结FET(JFET)

与IGFET不同,JFET栅极形成具有位于源极和漏极之间的沟道的p-n二极管。在功能上,这使得n沟道JFET成为真空管三极管的固态等效物,其类似地在其栅极和阴极之间形成二极管。而且,这两种器件都在耗尽模式下工作,它们都具有高输入阻抗,并且它们都在输入电压的控制下导通电流。

FET进一步可分为耗尽型和增强型,主要取决于通道是否以零栅极至源极电压导通或关断。对于增强模式,通道在零偏压下关闭,并且栅极电位可以“增强”导通。对于耗尽模式,通道以零偏置导通,并且栅极电位(相反极性)可以“消耗”通道,从而降低导通。对于任一模式,更正的栅极电压对应于n沟道器件的较高电流和p沟道器件的较低电流。几乎所有的结FET都是耗尽型,因为如果它们是增强型器件,二极管接头将正向偏置和导通;大多数绝缘栅FET是增强型模式。



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