DRAM输了!CNT与RRAM集成的3D芯片超强来袭

2017-07-06 16:45:42 ganyuqiang 194

斯坦福大学的研究人员使用了一种使用碳纳米管和RRAM来集成传感器、逻辑和记忆的3D芯片。该芯片具有100万个RRAM单元和200万个CNT FET,它们彼此之间可建立并通过超高密度的电线连接。

RRAM

研究团队说,碳纳米管制成的逻辑与现今的硅逻辑相比具有更高的数量级,与DRAM相比,RRAM将更加密集,更快,更节能。在芯片的顶层,研究人员放置了超过100万个基于CNT的传感器,用于检测和分类环境气体。由于感应,数据存储和计算的分层,芯片能够并行测量每个传感器,然后直接写入其存储器,产生巨大的带宽。



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